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　　2.5D封装能够满意芯片高集成度、高职能、幼尺寸、低功耗发达需求，正在胀吹半导体家当本事升级方面饰演首要脚色，正在环球畛域内使用比例急迅攀升 2.5D封装，是一种前辈封装本事，将多个芯片并排堆叠，欺骗中介层邻接芯片，高密度布线达成电气邻接，集成封装为一个集体

　　芝能智芯出品 硅通孔（Through-Silicon Via, TSV）本事是一种用于达成芯片和晶圆笔直互联的闭节工艺，被平凡使用于2.5D和3D封装中。 TSV通过缩短互连长度、消重功耗和信号延迟，大幅提拔体系职能和整合度，当然TSV的高本钱、纷乱工艺及热应力解决等挑衅局限了其大周围使用

　　本文由半导体家当纵横（ID：ICVIEWS）编译自钜亨网 新架构 CoWoS-L，以管理大型interposer缺陷导致的良率失掉题目。 片上基板（CoWoS： Chip-on-wafer-on-substrate）是一种前辈的封装本事，用于创造高职能策动（HPC）和人为智能（AI）元件

　　幼型封装内置第4代SiC MOSFET，达成业界超高功率密度，帮力xEV逆变器达成幼型化！

　　环球出名半导体创造商ROHM（总部位于日本京城市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开垦出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产物（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　全新 Bourns®SinglFuse偏护器现可供给 0603 和 1206 封装，且正在准则 SMD 尺寸中供给高效的过流偏护

　　2024年3月4日 － 美国柏恩Bourns环球出名电源、偏护和传感管理计划电子组件头领创造供货商，扩展SinglFuse＆trade； SMD保障丝产物线。正在功耗使用中，成果饰演着至闭首要的脚色，加倍是跟着最终产物变得越来越纷乱且功耗更高

　　Transphorm揭橥两款4引脚TO-247封装器件，针对高功率任事器、可再生能源、工业电力转换界限扩展产物线

　　加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17日 — 环球当先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣告推出两款采用 4 引脚&

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